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雷鋒網注：圖片來自 anandtech
英特爾為市場上大部分的個人電腦提供 CPU，但由于 PC 的銷售增長不再如以前那樣迅猛，英特爾也不得不投身到數據中心處理器、內存芯片和網絡芯片等更廣闊的市場，這也讓英特爾面臨更多的競爭。
在 10nm 芯片研發和量產上，英特爾拖延了數年，最終臺積電（TSMC）搶先量產了 7nm，失去了自己在這一領域的領先地位。在昨天的英特爾投資者日上，英特爾首席執行官 Bob Swan 和 Murthy Renduchintala 談及了公司在制造方面的新進展，并總結了經驗和教訓。
早在 2013 年，英特爾就設想通過 2.7 倍密度的 SAQP、COAG、Cobolt 互連，以及 EMIB 和 Foveros 等新的封裝技術，讓 10nm 芯片成功接過 14nm 芯片的接力棒。
然而，英特爾方面在昨天坦然承認，當年的設想過于自信，而且團隊之間也沒有明確目標，最終導致管理混亂，計劃也不能如期進行。
這些細節迫使英特爾 10nm 納米芯片計劃一拖再拖。最終，英特爾宣布，將于 2019 年推出 10nm 芯片。
到目前為止，英特爾 14nm+ 和 14nm++ 的制程性能均提升了 20% 以上（從 Broadwell 到 Whiskey Lake）。因此，英特爾為將來的節點內優化做好了準備，還調整了相應的路線圖。Murthy 明確表示，英特爾希望在新制程開始時，重新讓摩爾定律為公司帶來增益。
英特爾將在 2019 年和 2020 年重磅推出多種 10nm 產品，涵蓋至強處理器、GPGPU 通用加速處理器、AI 推理、FPGA、5G/網絡等，尤其是備受期待的 10nm Ice Lake。
Ice Lake 的性能提升，包括 2 倍圖像性能、AI 性能 2.5-3 倍、視頻編碼性能 2 倍、無線性能 3 倍，英特爾還首次公開了 Ice Lake 的架構圖（上圖）。
如上圖所示，英特爾表示將在 2021 年生產并推出一款 7nm 產品。對于一家在 10nm 方面備受困擾的公司來說，推出 7nm 聽起來似乎十分不切實際。然而，推出 7nm 的計劃確確實實出現在了英特爾的工藝路線圖當中，路線圖還顯示，10nm （包括 10nm+ 和 10nm++）的生命周期都比 14nm 系列要短得多。
不過，從上圖我們也可以得知，英特爾認為自家的 14nm、10nm、7nm 分別相當于臺積電的 10nm，7nm、5nm。然而，臺積電的 5nm 將于明年（2020）推出，這就從某種程度上說明，英特爾承認了自己的制程落后于臺積電。
實際上，我們可以這么看，英特爾的 7nm 將是將 10nm 的升級。同時，英特爾會像現在的 14nm 一樣，持續對每一代新工藝持續進行優化，也就是會繼續出現很多 +++ 版本，但不會像臺積電、三星一樣直接進化成新名字（11nm/8nm/6nm）—— 10nm 今年上陣，明后年將接連出現 10nm+、10nm++；7nm 2021年登場，2022年、2023 年則連續推出 7nm+、7nm++。
根據上圖我們可以得知，英特爾希望實現 2 倍擴展（摩爾定律）；計劃將節點內優化作為路線圖的一部分；英特爾還試圖減少設計規則，這應該有助于計劃的執行；7nm 也將是英特爾與 EUV 交叉的領域，可能會將 7nm 引入下一代 Foveros 和 EMIB 封裝技術。
上圖展示了一個以 PC 為中心的單片芯片和一個基于 Foveros 和 EMIB 的多模數據中心芯片。英特爾芯片和封裝團隊表示，我們將看到 Foveros 和 EMIB 的組合，特別是 GPU。
雷鋒網注：圖片來自 anandtech
英特爾 2021 年的首款工藝產品不是 CPU 處理器，而是 GPU 顯卡，確切地說是基于 Xe 架構、采用 EMIB 2D 整合封裝和 Foveros 3D 混合封裝、面向數據中心 AI 和高性能計算的 GPGPU 通用計算加速卡。
英特爾還強調，除了不斷研發新工藝，封裝技術方面也會持續演進，并針對不同應用劃分，比如 PC 領域主要還是注重單芯片封裝，而數據中心領域會針對不同 IP 優化不同工藝，并且注重多芯片封裝。
雷鋒網注：本文編譯自 anandtech
