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| 本文作者： maomaobear | 2016-04-13 11:38 |
編者按： 今年的IDF上，Intel 再次強(qiáng)調(diào)了3DxPoint閃存技術(shù)，準(zhǔn)備在中國(guó)投入35億美金。而在IDF前夕，北京-Intel公司就曾宣布，將其與美光合資開發(fā)的最新非易失性存儲(chǔ)技術(shù)引入中國(guó)，并在大連工廠制造。本文是去年Intel 對(duì)外宣布引入3DxPoint閃存技術(shù)時(shí)雷鋒網(wǎng)對(duì)此作出的技術(shù)解讀，從技術(shù)角度，或許你會(huì)更加理解，Intel在中國(guó)重金投入背后的原因。
前不久，英特爾與美光即將開始生產(chǎn)速度更快的新式內(nèi)存芯片，據(jù)兩家公司表示，其中的新技術(shù)將改變計(jì)算機(jī)存取大量數(shù)據(jù)的方式。
兩家公司在聲明中表示，新芯片中的“3D XPoint”技術(shù)是25年來內(nèi)存芯片市場(chǎng)上首次出現(xiàn)的主流新技術(shù)速度比目前市場(chǎng)上的閃存快1000倍，這種芯片可用于移動(dòng)設(shè)備存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，同時(shí)被越來越多的電腦使用。
美光總裁馬克·亞當(dāng)斯（Mark Adams）在聲明中表示：“在現(xiàn)代計(jì)算機(jī)中，最大的一項(xiàng)障礙便是處理器在長(zhǎng)期存儲(chǔ)設(shè)備中找到數(shù)據(jù)的時(shí)間太長(zhǎng)。這種新的、非短期的內(nèi)存是一項(xiàng)技術(shù)革命。它可以快速存取巨量數(shù)據(jù)集，支持全新的應(yīng)用。
長(zhǎng)期以來，儲(chǔ)存器的速度和容量都是計(jì)算機(jī)的最大瓶頸，即使在SSD硬盤已經(jīng)普及的今天也不例外。為了硬盤的速度，我們搞出來Raid 0，從機(jī)械硬盤進(jìn)化到閃存盤，但是儲(chǔ)存器本身的存儲(chǔ)速度還是慢慢進(jìn)步的，英特爾與美光搞的這個(gè)革命性的東西是什么呢？為什么會(huì)快到如此地步呢？
一、傳統(tǒng)閃存是怎么干活的？
我們正在使用的閃存雖然發(fā)展了很多年，但是本質(zhì)上還是利用一個(gè)個(gè)微小的晶體管來儲(chǔ)存數(shù)據(jù)。
晶體管是NAND芯片的核心。NAND芯片靠電子在晶體管的“浮動(dòng)?xùn)拧眮砘匾苿?dòng)工作。
（編者注：NAND閃存是1989年問世的第一代非易失性存儲(chǔ)技術(shù)。非易失性存儲(chǔ)意味著在關(guān)掉電源的情況下還能存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。）
浮動(dòng)?xùn)虐粚庸柩趸そ^緣體。它是控制傳導(dǎo)電流的選擇控制柵。閃存晶體管里面數(shù)據(jù)是0或1取決于在硅底板上形成的浮動(dòng)?xùn)胖惺欠裼须娮印Ｓ须娮泳蜑?，沒電子為1。
閃存在存取數(shù)據(jù)的時(shí)候，要先把所有單元的電子都清掉，具體說就是從所有浮動(dòng)?xùn)胖袑?dǎo)出電子。即將有所數(shù)據(jù)歸“1”。寫入時(shí)只有數(shù)據(jù)為0時(shí)才進(jìn)行寫入，數(shù)據(jù)為1時(shí)則什么也不做。
要寫入就是施加高電壓，讓電子就會(huì)突破氧化膜絕緣體，進(jìn)入浮動(dòng)?xùn)拧Ｓ须娮恿耍@個(gè)晶體管就是0了，這樣寫入就完成了。
而讀取數(shù)據(jù)時(shí)，就施加一定的電壓，因?yàn)楣璧装迳系母?dòng)?xùn)庞械挠须娮樱械臎]電子，同樣施加電壓，出來的電流就不一樣，這樣就能讀出0或者1。
因?yàn)槟愕孟炔脸賹懭耄蚤W存的速度不如內(nèi)存快，用英特爾總裁羅勃·克魯克比喻說：“這有點(diǎn)像一個(gè)停車場(chǎng)，要想移動(dòng)一輛車，會(huì)讓其他汽車擠在一起。你不得不把它們重新排列，才能讓一個(gè)新的汽車進(jìn)來。”
此外，你存一次數(shù)據(jù)，就得加一個(gè)高電壓穿過絕緣氧化膜。這個(gè)膜不是無限壽命的，高電壓次數(shù)加多了，這個(gè)膜就失效了。這個(gè)時(shí)候閃存就沒法用了，就是我們說的閃存的壽命到了。
另外，晶體管的大小是跟著制造工藝來的，摩爾定律發(fā)展到哪一步，就有哪一步的速度和容量，不會(huì)有突破性發(fā)展。
速度、容量、壽命就成了閃存的三大問題。
二、3D XPoint的突破
新存儲(chǔ)芯片是一種多層線路構(gòu)成的三維結(jié)構(gòu)，每一層上線路互相平行，并與上下層的線路互成直角，層與層間的有“柱子”似的線在上下層的交錯(cuò)點(diǎn)連接。
橫向的層是絕緣層，每根“柱子”分兩節(jié)，一節(jié)是“記憶單元”，用來存數(shù)據(jù)，記憶單元能存儲(chǔ)一個(gè)比特的數(shù)據(jù)，代表二進(jìn)制代碼中的一個(gè)1或0；一節(jié)是一個(gè)“選擇器”，選擇器允許讀寫特定的記憶單元，通過改變線路電壓來控制訪問。
現(xiàn)在有意思的就是這個(gè)“記憶單元”，它不是晶體管。這意味著和傳統(tǒng)閃存完全不同，所以他才能有更大儲(chǔ)存密度，更快的速度。
但是它是什么？用什么材料？英特爾與美光打死也不說，我們只能推測(cè)。
其實(shí)，不用晶體管的儲(chǔ)存器，這些年一直在搞。cross-point架構(gòu)舍棄了晶體管，采用柵狀電線(a latticework of wires)電阻來表示0和1，高電阻狀態(tài)時(shí)，電不能輕易通過，cell表示0，當(dāng)處于低電阻時(shí)，cell表示1。
這種用電阻差異來存數(shù)據(jù)的東西叫電阻式RAM(簡(jiǎn)稱RRAM)，三星、閃迪等巨頭都在投入，但是真正接近實(shí)用化的是一家名為Crossbar的創(chuàng)業(yè)公司（首席科學(xué)家個(gè)叫盧偉的華裔），它在2013年推出了郵票大小的ReRAM產(chǎn)品原型，它可以存儲(chǔ)1TB數(shù)據(jù)。2014年已經(jīng)進(jìn)入準(zhǔn)備商用的階段。Crossbar的架構(gòu)圖和英特爾、鎂光的這個(gè)3D XPoint的架構(gòu)圖就很接近了。
鎂光在2014年也拿出來索尼聯(lián)合研發(fā)ReRAM，原理類似，還公布了一些材料的信息。如今時(shí)隔不到一年，這個(gè)3D XPoint我們相信就是個(gè)新名詞而已。
本質(zhì)上，它就是電阻式RAM，架構(gòu)參考了Crossbar的架構(gòu)。材料上鎂光有了一定的突破，最后加上Intel的工藝，基本可以把這個(gè)東西實(shí)用化，這就是3D XPoint。
三、3D XPoint能干什么？
不考慮成本的話，這個(gè)東西是目前儲(chǔ)存器的良好替代品，壽命比機(jī)械硬盤還長(zhǎng)，速度比閃存快1000倍，接近內(nèi)存的速度，容量密度還很大。要求低一點(diǎn)的計(jì)算設(shè)備，可以一種儲(chǔ)存器打天下了。
對(duì)于要求高的地方，它可以在內(nèi)存和硬盤之間當(dāng)一個(gè)緩沖，類似于現(xiàn)在SSD盤這么一個(gè)角色，需要快速讀取寫入的，用3D XPoint，不需要的還是用硬盤。只是相對(duì)于現(xiàn)在的SSD盤，它的速度更快，壽命更長(zhǎng)，容量更大。
這個(gè)東西初期價(jià)格會(huì)很高，會(huì)先應(yīng)用于超級(jí)計(jì)算機(jī)，高性能服務(wù)器這些不差錢的地方。但是因?yàn)檫@個(gè)東西的制造工藝和現(xiàn)在的半導(dǎo)體芯片沒有太大區(qū)別，技術(shù)搞清楚后很多廠都可以做，價(jià)格也會(huì)很快下來。樂觀估計(jì)，大約5年內(nèi)這類東西就會(huì)普及。也許5年后我們的電腦手機(jī)很快就會(huì)用上。
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